SDM20U30LP-7
IC
X1-DFN1006-2
可供量大可议
SDM20U30LP-7
特性：低正向压降。 用于瞬态保护的保护环结构。 低电容。 超小表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用）， 具有高可靠性
品牌
DIODES
封装
X1-DFN1006-2
库存
240
货期
现货
SDM20U30LP-7参数
| 封装 | X1-DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 240 |
SDM20U30LP-7概述
特性：低正向压降。 用于瞬态保护的保护环结构。 低电容。 超小表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用）， 具有高可靠性
SDM20U30LP-7特性
暂无产品特性。
SDM20U30LP-7应用领域
暂无应用领域。