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SDM20U30-7-HXY
IC

SOD-523

可供量大可议

SDM20U30-7-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.5V, 有助于降低导通损耗, 同时在反向偏置条件下漏电流(IR)仅为30μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达1A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及高频开关等应用场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-523

库存

2,000

货期

现货

SDM20U30-7-HXY参数

封装SOD-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类肖特基二极管
库存2000

SDM20U30-7-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.5V, 有助于降低导通损耗, 同时在反向偏置条件下漏电流(IR)仅为30μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达1A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及高频开关等应用场景。

SDM20U30-7-HXY特性

暂无产品特性。

SDM20U30-7-HXY应用领域

暂无应用领域。

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