SDM1100S1F-7-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
SDM1100S1F-7-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.84V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流仅为40μA, 有助于提升系统在待机或低功耗模式下的能效。 器件适用于对效率和响应速度有一定要求的整流、续流及电源管理场景, 凭借肖特基结构的快速恢复特性, 可有效减少开关损耗, 保障电路稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
410
货期
现货
SDM1100S1F-7-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 410 |
SDM1100S1F-7-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.84V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流仅为40μA, 有助于提升系统在待机或低功耗模式下的能效。 器件适用于对效率和响应速度有一定要求的整流、续流及电源管理场景, 凭借肖特基结构的快速恢复特性, 可有效减少开关损耗, 保障电路稳定运行。
SDM1100S1F-7-HXY特性
暂无产品特性。
SDM1100S1F-7-HXY应用领域
暂无应用领域。
