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SDM1100S1F-7-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

SDM1100S1F-7-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.84V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流仅为40μA, 有助于提升系统在待机或低功耗模式下的能效。 器件适用于对效率和响应速度有一定要求的整流、续流及电源管理场景, 凭借肖特基结构的快速恢复特性, 可有效减少开关损耗, 保障电路稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

410

货期

现货

SDM1100S1F-7-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存410

SDM1100S1F-7-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.84V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流仅为40μA, 有助于提升系统在待机或低功耗模式下的能效。 器件适用于对效率和响应速度有一定要求的整流、续流及电源管理场景, 凭借肖特基结构的快速恢复特性, 可有效减少开关损耗, 保障电路稳定运行。

SDM1100S1F-7-HXY特性

暂无产品特性。

SDM1100S1F-7-HXY应用领域

暂无应用领域。

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