SD3065CTDL-HXY
IC
TO-247-2L
可供量大可议
SD3065CTDL-HXY
该碳化硅二极管为独立式器件, 具备30A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 适用于较高功率等级的电路设计。 其正向导通压降(VF)典型值为1.4V, 在高电流工作条件下可有效降低导通损耗。 基于碳化硅材料的优异特性, 该二极管具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力, 有助于提升系统整体能效并减少热管理压力。 主要应用于高效开关电源、大功率DC-AC逆变装置、高频率DC-DC转换模块以及可再生能源发电系统的功率级设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-2L
库存
19
货期
现货
SD3065CTDL-HXY参数
| 封装 | TO-247-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 19 |
SD3065CTDL-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式器件, 具备30A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 适用于较高功率等级的电路设计。 其正向导通压降(VF)典型值为1.4V, 在高电流工作条件下可有效降低导通损耗。 基于碳化硅材料的优异特性, 该二极管具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力, 有助于提升系统整体能效并减少热管理压力。 主要应用于高效开关电源、大功率DC-AC逆变装置、高频率DC-DC转换模块以及可再生能源发电系统的功率级设计。
SD3065CTDL-HXY特性
暂无产品特性。
SD3065CTDL-HXY应用领域
暂无应用领域。
