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SD3065CTDL-HXY
IC

TO-247-2L

可供量大可议

SD3065CTDL-HXY

该碳化硅二极管为独立式器件, 具备30A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 适用于较高功率等级的电路设计。 其正向导通压降(VF)典型值为1.4V, 在高电流工作条件下可有效降低导通损耗。 基于碳化硅材料的优异特性, 该二极管具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力, 有助于提升系统整体能效并减少热管理压力。 主要应用于高效开关电源、大功率DC-AC逆变装置、高频率DC-DC转换模块以及可再生能源发电系统的功率级设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247-2L

库存

19

货期

现货

SD3065CTDL-HXY参数

封装TO-247-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存19

SD3065CTDL-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式器件, 具备30A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 适用于较高功率等级的电路设计。 其正向导通压降(VF)典型值为1.4V, 在高电流工作条件下可有效降低导通损耗。 基于碳化硅材料的优异特性, 该二极管具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力, 有助于提升系统整体能效并减少热管理压力。 主要应用于高效开关电源、大功率DC-AC逆变装置、高频率DC-DC转换模块以及可再生能源发电系统的功率级设计。

SD3065CTDL-HXY特性

暂无产品特性。

SD3065CTDL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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