SCTWA90N65G2V-4
IC
HiP247-4
可供量大可议
SCTWA90N65G2V-4
碳化硅功率 MOSFET 650 V、18 mOhm（典型值）、119 A， 采用 HiP247-4 封装
品牌
ST
封装
HiP247-4
库存
21
货期
现货
SCTWA90N65G2V-4参数
| 封装 | HiP247-4 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 21 |
SCTWA90N65G2V-4概述
碳化硅功率 MOSFET 650 V、18 mOhm（典型值）、119 A， 采用 HiP247-4 封装
SCTWA90N65G2V-4特性
暂无产品特性。
SCTWA90N65G2V-4应用领域
暂无应用领域。