SCTWA90N65G2V
IC
TO-247
可供量大可议
SCTWA90N65G2V
碳化硅功率 MOSFET 650 V、119 A、18 mOhm（典型值 TJ = 25 C）， 采用 HiP247 长引线封装
品牌
ST
封装
TO-247
库存
1
货期
现货
SCTWA90N65G2V参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
SCTWA90N65G2V概述
碳化硅功率 MOSFET 650 V、119 A、18 mOhm（典型值 TJ = 25 C）， 采用 HiP247 长引线封装
SCTWA90N65G2V特性
暂无产品特性。
SCTWA90N65G2V应用领域
暂无应用领域。