SCTWA30N120
IC
HiP-247
可供量大可议
SCTWA30N120
碳化硅功率MOSFET， 1200 V、45 A、90 mOhm（典型值， TJ = 150 C）， HiP247长引线封装
品牌
ST
封装
HiP-247
库存
3
货期
现货
SCTWA30N120参数
| 封装 | HiP-247 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
SCTWA30N120概述
碳化硅功率MOSFET， 1200 V、45 A、90 mOhm（典型值， TJ = 150 C）， HiP247长引线封装
SCTWA30N120特性
暂无产品特性。
SCTWA30N120应用领域
暂无应用领域。