SCTW35N65G2VAG
IC
TO-247-3
可供量大可议
SCTW35N65G2VAG
采用 HiP247 封装的汽车级碳化硅功率 MOSFET 650 V、45 A、55 mOhm（典型值， TJ = 25 C）
品牌
ST
封装
TO-247-3
库存
3
货期
现货
SCTW35N65G2VAG参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
SCTW35N65G2VAG概述
采用 HiP247 封装的汽车级碳化硅功率 MOSFET 650 V、45 A、55 mOhm（典型值， TJ = 25 C）
SCTW35N65G2VAG特性
暂无产品特性。
SCTW35N65G2VAG应用领域
暂无应用领域。