SCTW35N65G2V
IC
TO-247-3
可供量大可议
SCTW35N65G2V
碳化硅功率MOSFET， 650 V、45 A、55 mOhm（典型值， TJ = 25 C）， HiP247封装
品牌
ST
封装
TO-247-3
库存
7
货期
现货
SCTW35N65G2V参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
SCTW35N65G2V概述
碳化硅功率MOSFET， 650 V、45 A、55 mOhm（典型值， TJ = 25 C）， HiP247封装
SCTW35N65G2V特性
暂无产品特性。
SCTW35N65G2V应用领域
暂无应用领域。