SCTL35N65G2V
IC
VDFN-8-Power
可供量大可议
SCTL35N65G2V
碳化硅功率 MOSFET 650 V、55 mOhm（典型值）、40 A， 采用 PowerFLAT 8x8 HV 封装
品牌
ST
封装
VDFN-8-Power
库存
7
货期
现货
SCTL35N65G2V参数
| 封装 | VDFN-8-Power |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
SCTL35N65G2V概述
碳化硅功率 MOSFET 650 V、55 mOhm（典型值）、40 A， 采用 PowerFLAT 8x8 HV 封装
SCTL35N65G2V特性
暂无产品特性。
SCTL35N65G2V应用领域
暂无应用领域。