SCT3080KLHRC11-HXY

本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）， 具有出色的导电能力和高效的开关特性。 其最大连续漏极电流可达36A， 导通电阻仅为80mΩ， 能够在高电压和大电流环境下稳定运行。 碳化硅材料的使用有效降低了开关损耗， 提高了器件在高温、高压条件下的可靠性。 适用于新一代高效电源系统、能源转换装置及高性能电子设备中的功率控制单元。