SCT3080KLGC11-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备良好的高压与高电流工作特性， 适用于多种功率控制场景。 其主要参数包括：漏极电流ID为36A， 漏源击穿电压VDSS达1200V， 导通电阻RDON为80mΩ， 可在较高电压条件下实现稳定的开关操作与较低的能量损耗。 器件设计注重可靠性和耐久性， 适合应用于电源转换装置、储能系统、电子负载管理及各类高效能电路中， 满足对高压功率器件的多样化需求。