SCT3080ARHRC15-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为36A， 漏源击穿电压达650V， 导通电阻为75mΩ， 栅源电压工作范围为-8V至+20V。 器件依托碳化硅材料的高热导率与高击穿场强， 在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗， 适用于对效率和体积有严苛要求的电源转换系统。 其负栅压能力有助于增强关断可靠性， 提升在复杂电气环境下的运行稳定性。