SCT3030AW7TL-HXY
IC
TO-263-7L
可供量大可议
SCT3030AW7TL-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具备73A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压， 导通电阻为26mΩ， 栅源电压工作范围为-10V至+25V。 得益于碳化硅材料的特性， 器件在高频开关应用中表现出较低的导通损耗与开关损耗， 同时具有良好的热导性能和稳定性。 适用于高效率、高功率密度的电源转换系统， 可在严苛电气环境下维持可靠运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263-7L
库存
10
货期
现货
SCT3030AW7TL-HXY参数
| 封装 | TO-263-7L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
SCT3030AW7TL-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具备73A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压， 导通电阻为26mΩ， 栅源电压工作范围为-10V至+25V。 得益于碳化硅材料的特性， 器件在高频开关应用中表现出较低的导通损耗与开关损耗， 同时具有良好的热导性能和稳定性。 适用于高效率、高功率密度的电源转换系统， 可在严苛电气环境下维持可靠运行。
SCT3030AW7TL-HXY特性
暂无产品特性。
SCT3030AW7TL-HXY应用领域
暂无应用领域。