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SCT20N120
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HiP-247

SCT20N120

碳化硅场效应管(MOSFET) SCT20N120 HiP-247

品牌

ST

封装

HiP-247

交期

现货

批次

25+

产品参数概述

SCT20N120参数

封装HiP-247
品牌ST(意法半导体)
批次25+
类型N沟道
耗散功率(Pd)175W
分类碳化硅场效应管(MOSFET)
库存466
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)1.2kV

SCT20N120概述

碳化硅场效应管(MOSFET) SCT20N120 HiP-247

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