SCT2080KEHRC11-HXY

本N沟道场效应管（MOSFET）具有1200V的漏源电压（VDSS）与36A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）为80mΩ， 适用于高耐压与大电流工作条件。 器件采用成熟工艺制造， 具备良好的热稳定性与开关性能， 可用于电源变换器、逆变电路、电机控制模块及高效能电子负载设备中。 其电气特性支持高频运作与低损耗设计， 适合对系统效率和可靠性有一定要求的多种电子应用领域。