SCT2080KEGC11-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
SCT2080KEGC11-HXY
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 具备1200V的漏源击穿电压（VDSS）和36A的额定漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）低至80mΩ， 适用于高效率、高功率密度的开关电源系统。 该器件采用先进工艺制造， 具有优异的热稳定性和可靠性， 适合用于直流变换器、逆变器及各类高频电力电子设备中， 满足对性能与安全性要求较高的应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
28
货期
现货
SCT2080KEGC11-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 28 |
SCT2080KEGC11-HXY概述
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 具备1200V的漏源击穿电压（VDSS）和36A的额定漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）低至80mΩ， 适用于高效率、高功率密度的开关电源系统。 该器件采用先进工艺制造， 具有优异的热稳定性和可靠性， 适合用于直流变换器、逆变器及各类高频电力电子设备中， 满足对性能与安全性要求较高的应用场景。
SCT2080KEGC11-HXY特性
暂无产品特性。
SCT2080KEGC11-HXY应用领域
暂无应用领域。