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SCT1000N170
IC

TO-92

可供量大可议

SCT1000N170

碳化硅场效应管(MOSFET) SCT1000N170 TO-247-3

品牌

ST

封装

TO-92

库存

1,490

货期

现货

SCT1000N170参数

封装TO-92
品牌ST(意法半导体)
批次24+
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.7kV
阈值电压(Vgs(th))3.5V
输入电容(Ciss)133pF
工作温度-55℃~+200℃
分类碳化硅场效应管(MOSFET)
库存1,490
MOQ / SPQ1 / 1
类型N沟道
耗散功率(Pd)96W
栅极电荷量(Qg)13.3nC
反向传输电容(Crss)3.4pF
导通电阻(RDS(on))1.3Ω

SCT1000N170概述

碳化硅场效应管(MOSFET) SCT1000N170 TO-247-3

SCT1000N170特性

暂无产品特性。

SCT1000N170应用领域

暂无应用领域。

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