SCT025H120G3AG

该碳化硅功率MOSFET器件采用先进的第三代SiC MOSFET技术开发。 该器件在整个温度范围内具有极低的导通电阻， 结合低电容和非常高的开关操作， 可提高应用在频率、能源效率、系统尺寸和重量减轻方面的性能。