SCT020W120G3-4AG
IC
HiP247-4
可供量大可议
SCT020W120G3-4AG
Power Mosfet 1.2kV 100A
品牌
ST
封装
HiP247-4
库存
600
货期
现货
SCT020W120G3-4AG参数
| 封装 | HiP247-4 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V |
| 输入电容(Ciss) | 3.465nF |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 600 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 类型 | N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 541W |
| 栅极电荷量(Qg) | 121nC |
| 反向传输电容(Crss) | 13.5pF |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
SCT020W120G3-4AG概述
Power Mosfet 1.2kV 100A
SCT020W120G3-4AG特性
暂无产品特性。
SCT020W120G3-4AG应用领域
暂无应用领域。