SCT018H65G3AG
IC
H2PAK-7
可供量大可议
SCT018H65G3AG
此碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发。 该器件在整个温度范围内具有极低的导通电阻， 同时具备低电容和极高的开关操作性能， 可提高应用在频率、能效、系统尺寸和重量方面的性能。
品牌
ST
封装
H2PAK-7
库存
3
货期
现货
SCT018H65G3AG参数
| 封装 | H2PAK-7 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
SCT018H65G3AG概述
此碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发。 该器件在整个温度范围内具有极低的导通电阻， 同时具备低电容和极高的开关操作性能， 可提高应用在频率、能效、系统尺寸和重量方面的性能。
SCT018H65G3AG特性
暂无产品特性。
SCT018H65G3AG应用领域
暂无应用领域。