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SCS315AHGC9-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

SCS315AHGC9-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 在浪涌条件下可承受高达100A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下仍能保持稳定的电气性能, 适用于对效率和响应速度要求较高的电源转换与功率控制场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

25

货期

现货

SCS315AHGC9-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存25

SCS315AHGC9-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 在浪涌条件下可承受高达100A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下仍能保持稳定的电气性能, 适用于对效率和响应速度要求较高的电源转换与功率控制场景。

SCS315AHGC9-HXY特性

暂无产品特性。

SCS315AHGC9-HXY应用领域

暂无应用领域。

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