SCS315AHGC9-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
SCS315AHGC9-HXY
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 在浪涌条件下可承受高达100A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下仍能保持稳定的电气性能, 适用于对效率和响应速度要求较高的电源转换与功率控制场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
25
货期
现货
SCS315AHGC9-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 25 |
SCS315AHGC9-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 在浪涌条件下可承受高达100A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下仍能保持稳定的电气性能, 适用于对效率和响应速度要求较高的电源转换与功率控制场景。
SCS315AHGC9-HXY特性
暂无产品特性。
SCS315AHGC9-HXY应用领域
暂无应用领域。
