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SCS315AGC16-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

SCS315AGC16-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.5V, 并能承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的固有优势, 器件在高频工作条件下展现出较低的开关损耗与良好的热稳定性, 适用于高效率电源转换系统, 如开关电源、直流-直流变换器及功率因数校正等应用中的整流环节。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

SCS315AGC16-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

SCS315AGC16-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.5V, 并能承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的固有优势, 器件在高频工作条件下展现出较低的开关损耗与良好的热稳定性, 适用于高效率电源转换系统, 如开关电源、直流-直流变换器及功率因数校正等应用中的整流环节。

SCS315AGC16-HXY特性

暂无产品特性。

SCS315AGC16-HXY应用领域

暂无应用领域。

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