SCS315AGC16-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
SCS315AGC16-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.5V, 并能承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的固有优势, 器件在高频工作条件下展现出较低的开关损耗与良好的热稳定性, 适用于高效率电源转换系统, 如开关电源、直流-直流变换器及功率因数校正等应用中的整流环节。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
SCS315AGC16-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
SCS315AGC16-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.5V, 并能承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的固有优势, 器件在高频工作条件下展现出较低的开关损耗与良好的热稳定性, 适用于高效率电源转换系统, 如开关电源、直流-直流变换器及功率因数校正等应用中的整流环节。
SCS315AGC16-HXY特性
暂无产品特性。
SCS315AGC16-HXY应用领域
暂无应用领域。
