SCS310AMC-HXY
IC
TO-220F-2L
可供量大可议
SCS310AMC-HXY
该碳化硅二极管采用独立式结构, 具备10A的正向平均电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 适用于中高功率密度的电源转换设计。 其正向压降(VF)为1.37V, 导通损耗较低, 有助于提升系统能效。 基于碳化硅材料特性, 该器件具有优异的高温稳定性与快速反向恢复能力, 支持高频开关操作。 典型应用场景包括高效开关电源、通信电源、可再生能源逆变装置、高压直流配电模块及储能系统的功率转换电路, 有助于减小磁性元件体积并提高整体电源效率。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F-2L
库存
17
货期
现货
SCS310AMC-HXY参数
| 封装 | TO-220F-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 17 |
SCS310AMC-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 具备10A的正向平均电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 适用于中高功率密度的电源转换设计。 其正向压降(VF)为1.37V, 导通损耗较低, 有助于提升系统能效。 基于碳化硅材料特性, 该器件具有优异的高温稳定性与快速反向恢复能力, 支持高频开关操作。 典型应用场景包括高效开关电源、通信电源、可再生能源逆变装置、高压直流配电模块及储能系统的功率转换电路, 有助于减小磁性元件体积并提高整体电源效率。
SCS310AMC-HXY特性
暂无产品特性。
SCS310AMC-HXY应用领域
暂无应用领域。
