SCS308AMC7G-HXY
IC
TO-220F-2L
可供量大可议
SCS308AMC7G-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V。 其正向压降(VF)典型值为1.4V, 在导通状态下表现出较低的导通损耗; 器件可承受60A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 具备良好的瞬态耐受能力。 得益于碳化硅材料特性, 该二极管在高频开关应用中展现出优异的动态性能和热稳定性, 适用于对效率和响应速度有较高要求的电源转换与整流场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F-2L
库存
21
货期
现货
SCS308AMC7G-HXY参数
| 封装 | TO-220F-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 21 |
SCS308AMC7G-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V。 其正向压降(VF)典型值为1.4V, 在导通状态下表现出较低的导通损耗; 器件可承受60A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 具备良好的瞬态耐受能力。 得益于碳化硅材料特性, 该二极管在高频开关应用中展现出优异的动态性能和热稳定性, 适用于对效率和响应速度有较高要求的电源转换与整流场景。
SCS308AMC7G-HXY特性
暂无产品特性。
SCS308AMC7G-HXY应用领域
暂无应用领域。
