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SCS308AMC7G-HXY
IC

TO-220F-2L

可供量大可议

SCS308AMC7G-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V。 其正向压降(VF)典型值为1.4V, 在导通状态下表现出较低的导通损耗; 器件可承受60A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 具备良好的瞬态耐受能力。 得益于碳化硅材料特性, 该二极管在高频开关应用中展现出优异的动态性能和热稳定性, 适用于对效率和响应速度有较高要求的电源转换与整流场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F-2L

库存

21

货期

现货

SCS308AMC7G-HXY参数

封装TO-220F-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存21

SCS308AMC7G-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V。 其正向压降(VF)典型值为1.4V, 在导通状态下表现出较低的导通损耗; 器件可承受60A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 具备良好的瞬态耐受能力。 得益于碳化硅材料特性, 该二极管在高频开关应用中展现出优异的动态性能和热稳定性, 适用于对效率和响应速度有较高要求的电源转换与整流场景。

SCS308AMC7G-HXY特性

暂无产品特性。

SCS308AMC7G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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