SCS308AGC16-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
SCS308AGC16-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 反向重复峰值电压为650V, 典型正向压降为1.38V, 非重复峰值正向浪涌电流可达88A。 器件利用碳化硅材料的高击穿电场和低导通损耗特性, 在高频运行条件下仍能保持高效能表现, 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换、开关电源及类似电子系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
SCS308AGC16-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
SCS308AGC16-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 反向重复峰值电压为650V, 典型正向压降为1.38V, 非重复峰值正向浪涌电流可达88A。 器件利用碳化硅材料的高击穿电场和低导通损耗特性, 在高频运行条件下仍能保持高效能表现, 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换、开关电源及类似电子系统。
SCS308AGC16-HXY特性
暂无产品特性。
SCS308AGC16-HXY应用领域
暂无应用领域。
