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SCS308AGC16-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

SCS308AGC16-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 反向重复峰值电压为650V, 典型正向压降为1.38V, 非重复峰值正向浪涌电流可达88A。 器件利用碳化硅材料的高击穿电场和低导通损耗特性, 在高频运行条件下仍能保持高效能表现, 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换、开关电源及类似电子系统。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

23

货期

现货

SCS308AGC16-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存23

SCS308AGC16-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 反向重复峰值电压为650V, 典型正向压降为1.38V, 非重复峰值正向浪涌电流可达88A。 器件利用碳化硅材料的高击穿电场和低导通损耗特性, 在高频运行条件下仍能保持高效能表现, 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换、开关电源及类似电子系统。

SCS308AGC16-HXY特性

暂无产品特性。

SCS308AGC16-HXY应用领域

暂无应用领域。

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