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SCS304AMC7G-HXY
IC

TO-220F-2L

可供量大可议

SCS304AMC7G-HXY

该碳化硅二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为4A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.3V, 在瞬态条件下可承受高达36A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的固有优势, 器件展现出快速开关特性与较低导通损耗, 适用于高效率、高频率的电源整流及能量转换系统。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F-2L

库存

23

货期

现货

SCS304AMC7G-HXY参数

封装TO-220F-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存23

SCS304AMC7G-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为4A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.3V, 在瞬态条件下可承受高达36A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的固有优势, 器件展现出快速开关特性与较低导通损耗, 适用于高效率、高频率的电源整流及能量转换系统。

SCS304AMC7G-HXY特性

暂无产品特性。

SCS304AMC7G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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