SCS304AMC7G-HXY
IC
TO-220F-2L
可供量大可议
SCS304AMC7G-HXY
该碳化硅二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为4A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.3V, 在瞬态条件下可承受高达36A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的固有优势, 器件展现出快速开关特性与较低导通损耗, 适用于高效率、高频率的电源整流及能量转换系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F-2L
库存
23
货期
现货
SCS304AMC7G-HXY参数
| 封装 | TO-220F-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
SCS304AMC7G-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为4A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.3V, 在瞬态条件下可承受高达36A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的固有优势, 器件展现出快速开关特性与较低导通损耗, 适用于高效率、高频率的电源整流及能量转换系统。
SCS304AMC7G-HXY特性
暂无产品特性。
SCS304AMC7G-HXY应用领域
暂无应用领域。
