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SCS302APC9-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

SCS302APC9-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.53V。 得益于碳化硅材料的特性, 器件在高频和高温环境下仍能保持优异的电气性能与稳定性, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。 其低VF有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效, 同时快速恢复特性可有效减少开关过程中的能量损耗。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

22

货期

现货

SCS302APC9-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存22

SCS302APC9-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.53V。 得益于碳化硅材料的特性, 器件在高频和高温环境下仍能保持优异的电气性能与稳定性, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。 其低VF有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效, 同时快速恢复特性可有效减少开关过程中的能量损耗。

SCS302APC9-HXY特性

暂无产品特性。

SCS302APC9-HXY应用领域

暂无应用领域。

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