SCS302APC9-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
SCS302APC9-HXY
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.53V。 得益于碳化硅材料的特性, 器件在高频和高温环境下仍能保持优异的电气性能与稳定性, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。 其低VF有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效, 同时快速恢复特性可有效减少开关过程中的能量损耗。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
22
货期
现货
SCS302APC9-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 22 |
SCS302APC9-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.53V。 得益于碳化硅材料的特性, 器件在高频和高温环境下仍能保持优异的电气性能与稳定性, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。 其低VF有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效, 同时快速恢复特性可有效减少开关过程中的能量损耗。
SCS302APC9-HXY特性
暂无产品特性。
SCS302APC9-HXY应用领域
暂无应用领域。
