SCS302AHGC9-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
SCS302AHGC9-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)为650V。 其正向压降(VF)典型值为1.53V, 在导通状态下具有较低的功率损耗。 得益于碳化硅材料特性, 器件在高频开关条件下表现出优异的动态性能和热稳定性, 适用于高效率电源、开关模式电源及各类对能效与体积有较高要求的电力电子应用场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
21
货期
现货
SCS302AHGC9-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 21 |
SCS302AHGC9-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)为650V。 其正向压降(VF)典型值为1.53V, 在导通状态下具有较低的功率损耗。 得益于碳化硅材料特性, 器件在高频开关条件下表现出优异的动态性能和热稳定性, 适用于高效率电源、开关模式电源及各类对能效与体积有较高要求的电力电子应用场合。
SCS302AHGC9-HXY特性
暂无产品特性。
SCS302AHGC9-HXY应用领域
暂无应用领域。
