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SCS302AHGC9-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

SCS302AHGC9-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)为650V。 其正向压降(VF)典型值为1.53V, 在导通状态下具有较低的功率损耗。 得益于碳化硅材料特性, 器件在高频开关条件下表现出优异的动态性能和热稳定性, 适用于高效率电源、开关模式电源及各类对能效与体积有较高要求的电力电子应用场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

21

货期

现货

SCS302AHGC9-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存21

SCS302AHGC9-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)为650V。 其正向压降(VF)典型值为1.53V, 在导通状态下具有较低的功率损耗。 得益于碳化硅材料特性, 器件在高频开关条件下表现出优异的动态性能和热稳定性, 适用于高效率电源、开关模式电源及各类对能效与体积有较高要求的电力电子应用场合。

SCS302AHGC9-HXY特性

暂无产品特性。

SCS302AHGC9-HXY应用领域

暂无应用领域。

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