SCS215AGHRC-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
SCS215AGHRC-HXY
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 具备优异的导通特性。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。 其碳化硅材料特性有效降低了开关损耗, 提升了系统整体能效, 在电源转换、高频整流等应用中展现出良好的动态响应与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
25
货期
现货
SCS215AGHRC-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 25 |
SCS215AGHRC-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 具备优异的导通特性。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。 其碳化硅材料特性有效降低了开关损耗, 提升了系统整体能效, 在电源转换、高频整流等应用中展现出良好的动态响应与可靠性。
SCS215AGHRC-HXY特性
暂无产品特性。
SCS215AGHRC-HXY应用领域
暂无应用领域。
