SCS210AGHRC-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
SCS210AGHRC-HXY
该碳化硅二极管为独立式单管结构, 额定平均正向整流电流为10A, 反向重复峰值电压达650V, 正向导通压降为1.38V, 具备较低的导通损耗。 得益于碳化硅材料的高耐热性与高击穿电场特性, 该器件可在较高结温下稳定运行, 并具有优异的反向恢复特性, 显著减少开关过程中的能量损耗。 适用于高效率功率转换电路, 如大功率开关电源、不间断电源、储能系统及高压直流变换模块, 有助于提升系统整体能效与功率密度。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
19
货期
现货
SCS210AGHRC-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 19 |
SCS210AGHRC-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式单管结构, 额定平均正向整流电流为10A, 反向重复峰值电压达650V, 正向导通压降为1.38V, 具备较低的导通损耗。 得益于碳化硅材料的高耐热性与高击穿电场特性, 该器件可在较高结温下稳定运行, 并具有优异的反向恢复特性, 显著减少开关过程中的能量损耗。 适用于高效率功率转换电路, 如大功率开关电源、不间断电源、储能系统及高压直流变换模块, 有助于提升系统整体能效与功率密度。
SCS210AGHRC-HXY特性
暂无产品特性。
SCS210AGHRC-HXY应用领域
暂无应用领域。
