库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
SBRA8160NT3G-HXY
IC

SMA

可供量大可议

SBRA8160NT3G-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过500μA, 具备良好的反向阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

197

货期

现货

SBRA8160NT3G-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存197

SBRA8160NT3G-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过500μA, 具备良好的反向阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场景。

SBRA8160NT3G-HXY特性

暂无产品特性。

SBRA8160NT3G-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件