SBRA8160NT3G-HXY
IC
SMA
可供量大可议
SBRA8160NT3G-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过500μA, 具备良好的反向阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
197
货期
现货
SBRA8160NT3G-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 197 |
SBRA8160NT3G-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过500μA, 具备良好的反向阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场景。
SBRA8160NT3G-HXY特性
暂无产品特性。
SBRA8160NT3G-HXY应用领域
暂无应用领域。
