SBR05U20LP-7
IC
X1-DFN1006-2
可供量大可议
SBR05U20LP-7
特性：超低正向压降。 卓越的反向雪崩能力。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 工作结温可达 +150℃。 无铅表面处理； 符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
品牌
DIODES
封装
X1-DFN1006-2
库存
60
货期
现货
SBR05U20LP-7参数
| 封装 | X1-DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 超势垒整流器(SBR) |
|---|---|
| 库存 | 60 |
SBR05U20LP-7概述
特性：超低正向压降。 卓越的反向雪崩能力。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 工作结温可达 +150℃。 无铅表面处理； 符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
SBR05U20LP-7特性
暂无产品特性。
SBR05U20LP-7应用领域
暂无应用领域。