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SBDF20H200CT
IC

TO-220F

可供量大可议

SBDF20H200CT

特性:低功率损耗, 高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降

品牌

CJ

封装

TO-220F

库存

5

货期

现货

SBDF20H200CT参数

封装TO-220F
品牌CJ(江苏长电/长晶)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存5

SBDF20H200CT概述

特性:低功率损耗, 高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降

SBDF20H200CT特性

暂无产品特性。

SBDF20H200CT应用领域

暂无应用领域。

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