SBDF10100TCTB
自营可供
IC
TO-220F-B
SBDF10100TCTB
特性：低功耗， 高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
品牌
CJ
封装
TO-220F-B
交期
现货
批次
—
SBDF10100TCTB参数
| 封装 | TO-220F-B |
|---|---|
| 品牌 | CJ(江苏长电/长晶) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 正向压降(Vf) | 730mV@5A |
| 整流电流 | 10A |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 150A |
| 商品型号 | SBDF10100TCTB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0027586 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 500 |
| 二极管配置 | 1对共阴极 |
| 直流反向耐压(Vr) | 100V |
| 反向电流(Ir) | 100uA@100V |
| 商品名称 | 电压:100V 电流:10000mA |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 肖特基二极管 |
SBDF10100TCTB概述
特性：低功耗， 高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
SBDF10100TCTB特性
- 低功耗， 高效率
- 采用保护环芯片结构， 提供瞬态保护
- 高电流能力， 低正向压降