SBDB30200CT
IC
TO-263-2L
可供量大可议
SBDB30200CT
极性:共阴极 整流电流:30A 直流反向耐压:200V 正向压降:0.95V@15A 反向电流：100uA@200V
品牌
High Diode
封装
TO-263-2L
库存
800
货期
现货
SBDB30200CT参数
| 封装 | TO-263-2L |
|---|---|
| 品牌 | High Diode(海德) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 正向压降(Vf) | 950mV@15A |
| 整流电流 | 30A |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 200A |
| 商品型号 | SBDB30200CT |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.001 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 800 |
| 二极管配置 | 1对共阴极 |
| 直流反向耐压(Vr) | 200V |
| 反向电流(Ir) | 100uA@200V |
| 商品名称 | 200V 30A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 肖特基二极管 |
SBDB30200CT概述
该器件是一款采用TO-263-2L塑料封装的肖特基势垒整流器， 具有低功耗、高效率的特点。 其采用保护环芯片结构以增强抗瞬态能力， 具备高电流承载能力和低正向压降。 该器件基于金属-硅结， 采用多数载流子导电机制。
SBDB30200CT特性
- 低功耗、高效率
- 采用保护环芯片结构以增强抗瞬态保护能力
- 高电流承载能力和低正向压降
- 金属-硅结， 多数载流子导电
SBDB30200CT应用领域
- 低电压应用
- 高频逆变器
- 续流应用
- 极性保护应用