SBDB20H200CTB
自营可供
IC
TO-263-2L
SBDB20H200CTB
特性:低功耗, 高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
品牌
CJ
封装
TO-263-2L
交期
现货
批次
—
SBDB20H200CTB参数
| 封装 | TO-263-2L |
|---|---|
| 品牌 | CJ(江苏长电/长晶) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 正向压降(Vf) | 900mV@10A |
| 整流电流 | 20A |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 200A |
| 商品型号 | SBDB20H200CTB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.001634 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 780 |
| 二极管配置 | 1对共阴极 |
| 直流反向耐压(Vr) | 200V |
| 反向电流(Ir) | 500nA@200V |
| 商品名称 | 电压:200V 电流:20000mA |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 肖特基二极管 |
SBDB20H200CTB概述
特性:低功耗, 高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
