SBD30100CT
IC
TO-220-3L
可供量大可议
SBD30100CT
特性：低功率损耗， 高效率。 保护环芯片结构， 用于瞬态保护。 高电流能力和低正向压降。 金属硅结， 多数载流子传导。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用
品牌
High Diode
封装
TO-220-3L
库存
45
货期
现货
SBD30100CT参数
| 封装 | TO-220-3L |
|---|---|
| 品牌 | High Diode(海德) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 45 |
SBD30100CT概述
特性：低功率损耗， 高效率。 保护环芯片结构， 用于瞬态保护。 高电流能力和低正向压降。 金属硅结， 多数载流子传导。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用
SBD30100CT特性
暂无产品特性。
SBD30100CT应用领域
暂无应用领域。