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SBD20120TCTB
IC

TO-220-3L

可供量大可议

SBD20120TCTB

特性:低功耗, 高效率。 保护环芯片结构, 用于瞬态保护。 高电流能力和低正向压降

品牌

CJ

封装

TO-220-3L

库存

960

货期

现货

SBD20120TCTB参数

封装TO-220-3L
品牌CJ(江苏长电/长晶)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存960

SBD20120TCTB概述

特性:低功耗, 高效率。 保护环芯片结构, 用于瞬态保护。 高电流能力和低正向压降

SBD20120TCTB特性

暂无产品特性。

SBD20120TCTB应用领域

暂无应用领域。

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