SBC856ALT1G-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
SBC856ALT1G-HXY
这款PNP三极管(BJT)适用于精细控制与高电压需求的电路设计, 最大集电极电流IC为0.1A, 集电极-发射极电压VCEO高达65V, 确保在高压环境下的稳定操作。 其直流电流增益HFE范围是125至250, 能够提供有效的信号放大功能。 此外, 该三极管的过渡频率FT为100MHz, 使其成为需要高速处理和精确放大的电子设备的理想选择, 如无线通讯模块和家用音频设备, 满足高效能与快速响应的需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
50
货期
现货
SBC856ALT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
SBC856ALT1G-HXY概述
这款PNP三极管(BJT)适用于精细控制与高电压需求的电路设计, 最大集电极电流IC为0.1A, 集电极-发射极电压VCEO高达65V, 确保在高压环境下的稳定操作。 其直流电流增益HFE范围是125至250, 能够提供有效的信号放大功能。 此外, 该三极管的过渡频率FT为100MHz, 使其成为需要高速处理和精确放大的电子设备的理想选择, 如无线通讯模块和家用音频设备, 满足高效能与快速响应的需求。
SBC856ALT1G-HXY特性
暂无产品特性。
SBC856ALT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
