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SBC856ALT1G-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

SBC856ALT1G-HXY

这款PNP三极管(BJT)适用于精细控制与高电压需求的电路设计, 最大集电极电流IC为0.1A, 集电极-发射极电压VCEO高达65V, 确保在高压环境下的稳定操作。 其直流电流增益HFE范围是125至250, 能够提供有效的信号放大功能。 此外, 该三极管的过渡频率FT为100MHz, 使其成为需要高速处理和精确放大的电子设备的理想选择, 如无线通讯模块和家用音频设备, 满足高效能与快速响应的需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

50

货期

现货

SBC856ALT1G-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类三极管(BJT)
库存50

SBC856ALT1G-HXY概述

这款PNP三极管(BJT)适用于精细控制与高电压需求的电路设计, 最大集电极电流IC为0.1A, 集电极-发射极电压VCEO高达65V, 确保在高压环境下的稳定操作。 其直流电流增益HFE范围是125至250, 能够提供有效的信号放大功能。 此外, 该三极管的过渡频率FT为100MHz, 使其成为需要高速处理和精确放大的电子设备的理想选择, 如无线通讯模块和家用音频设备, 满足高效能与快速响应的需求。

SBC856ALT1G-HXY特性

暂无产品特性。

SBC856ALT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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