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SBC847BLT1G-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

SBC847BLT1G-HXY

此款NPN三极管(BJT)具备0.1A的集电极电流(IC), 适用于信号放大与处理电路。 其集电极-发射极电压(VCEO)为45V, 确保了在多种电源条件下的稳定运行。 直流电流增益(HFE)范围在200至450之间, 使得它在放大微弱信号方面表现出色。 特征频率(FT)达到100MHz, 表明其高速切换能力, 非常适合用于通信设备中的高频放大及开关电路。 该产品因其性能参数, 在需要精确信号处理和高效率放大的场合中被广泛采用。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

3,020

货期

现货

SBC847BLT1G-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类三极管(BJT)
库存3020

SBC847BLT1G-HXY概述

此款NPN三极管(BJT)具备0.1A的集电极电流(IC), 适用于信号放大与处理电路。 其集电极-发射极电压(VCEO)为45V, 确保了在多种电源条件下的稳定运行。 直流电流增益(HFE)范围在200至450之间, 使得它在放大微弱信号方面表现出色。 特征频率(FT)达到100MHz, 表明其高速切换能力, 非常适合用于通信设备中的高频放大及开关电路。 该产品因其性能参数, 在需要精确信号处理和高效率放大的场合中被广泛采用。

SBC847BLT1G-HXY特性

暂无产品特性。

SBC847BLT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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