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SBAT54XV2T5G-HXY
IC

SOD-523

可供量大可议

SBAT54XV2T5G-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压为30V。 其正向压降为0.8V, 反向漏电流低至2μA, 体现出优异的反向阻断能力。 器件可承受0.6A的峰值正向浪涌电流, 适用于对功耗和稳定性有要求的低功率电路, 如便携式电子设备中的电源整流、信号钳位及高频开关等应用场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-523

库存

140

货期

现货

SBAT54XV2T5G-HXY参数

封装SOD-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存140

SBAT54XV2T5G-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压为30V。 其正向压降为0.8V, 反向漏电流低至2μA, 体现出优异的反向阻断能力。 器件可承受0.6A的峰值正向浪涌电流, 适用于对功耗和稳定性有要求的低功率电路, 如便携式电子设备中的电源整流、信号钳位及高频开关等应用场合。

SBAT54XV2T5G-HXY特性

暂无产品特性。

SBAT54XV2T5G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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