SBAT54XV2T5G-HXY
IC
SOD-523
可供量大可议
SBAT54XV2T5G-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压为30V。 其正向压降为0.8V, 反向漏电流低至2μA, 体现出优异的反向阻断能力。 器件可承受0.6A的峰值正向浪涌电流, 适用于对功耗和稳定性有要求的低功率电路, 如便携式电子设备中的电源整流、信号钳位及高频开关等应用场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-523
库存
140
货期
现货
SBAT54XV2T5G-HXY参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 140 |
SBAT54XV2T5G-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压为30V。 其正向压降为0.8V, 反向漏电流低至2μA, 体现出优异的反向阻断能力。 器件可承受0.6A的峰值正向浪涌电流, 适用于对功耗和稳定性有要求的低功率电路, 如便携式电子设备中的电源整流、信号钳位及高频开关等应用场合。
SBAT54XV2T5G-HXY特性
暂无产品特性。
SBAT54XV2T5G-HXY应用领域
暂无应用领域。
