SBAS70-04LT1G-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
SBAS70-04LT1G-HXY
该肖特基二极管采用串联式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和70V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.25V, 在反向偏置条件下漏电流(IR)低至2.5μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的低压整流与信号处理场景, 常见于便携式电子设备及电源管理模块中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
150
货期
现货
SBAS70-04LT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 开关二极管 |
|---|---|
| 库存 | 150 |
SBAS70-04LT1G-HXY概述
该肖特基二极管采用串联式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和70V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.25V, 在反向偏置条件下漏电流(IR)低至2.5μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的低压整流与信号处理场景, 常见于便携式电子设备及电源管理模块中。
SBAS70-04LT1G-HXY特性
暂无产品特性。
SBAS70-04LT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
