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SBAS70-04LT1G-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

SBAS70-04LT1G-HXY

该肖特基二极管采用串联式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和70V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.25V, 在反向偏置条件下漏电流(IR)低至2.5μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的低压整流与信号处理场景, 常见于便携式电子设备及电源管理模块中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

150

货期

现货

SBAS70-04LT1G-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类开关二极管
库存150

SBAS70-04LT1G-HXY概述

该肖特基二极管采用串联式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和70V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.25V, 在反向偏置条件下漏电流(IR)低至2.5μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的低压整流与信号处理场景, 常见于便携式电子设备及电源管理模块中。

SBAS70-04LT1G-HXY特性

暂无产品特性。

SBAS70-04LT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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