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SBAS40-06LT1G-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

SBAS40-06LT1G-HXY

该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)为1V, 反向漏电流(IR)低至0.2μA, 具备良好的导通与阻断性能。 器件可承受0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要双路同步整流或信号钳位的电路结构, 常见于消费类电子设备中的电源管理、电池保护及逻辑电平转换等应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

160

货期

现货

SBAS40-06LT1G-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存160

SBAS40-06LT1G-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)为1V, 反向漏电流(IR)低至0.2μA, 具备良好的导通与阻断性能。 器件可承受0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要双路同步整流或信号钳位的电路结构, 常见于消费类电子设备中的电源管理、电池保护及逻辑电平转换等应用。

SBAS40-06LT1G-HXY特性

暂无产品特性。

SBAS40-06LT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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