SBAS40-06LT1G-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
SBAS40-06LT1G-HXY
该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)为1V, 反向漏电流(IR)低至0.2μA, 具备良好的导通与阻断性能。 器件可承受0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要双路同步整流或信号钳位的电路结构, 常见于消费类电子设备中的电源管理、电池保护及逻辑电平转换等应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
160
货期
现货
SBAS40-06LT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 160 |
SBAS40-06LT1G-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)为1V, 反向漏电流(IR)低至0.2μA, 具备良好的导通与阻断性能。 器件可承受0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要双路同步整流或信号钳位的电路结构, 常见于消费类电子设备中的电源管理、电池保护及逻辑电平转换等应用。
SBAS40-06LT1G-HXY特性
暂无产品特性。
SBAS40-06LT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
