SB360-T
IC
DO-201AD
可供量大可议
SB360-T
特性：保护环芯片结构， 用于瞬态保护。 低功耗， 高效率。 高浪涌能力。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达80A峰值。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 IEC 61000-4-2（ESD-150pF/330Ω）接触放电：±15kV。 无铅涂层； 符合RoHS标准
品牌
DIODES
封装
DO-201AD
库存
5
货期
现货
SB360-T参数
| 封装 | DO-201AD |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 5 |
SB360-T概述
特性：保护环芯片结构， 用于瞬态保护。 低功耗， 高效率。 高浪涌能力。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达80A峰值。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 IEC 61000-4-2（ESD-150pF/330Ω）接触放电：±15kV。 无铅涂层； 符合RoHS标准
SB360-T特性
暂无产品特性。
SB360-T应用领域
暂无应用领域。