SB3100-T
IC
DO-201AD
可供量大可议
SB3100-T
特性：肖特基势垒芯片。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 低功耗、高效率。 高浪涌能力。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达80A峰值。 无铅表面处理； 符合RoHS标准
品牌
DIODES
封装
DO-201AD
库存
30
货期
现货
SB3100-T参数
| 封装 | DO-201AD |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 30 |
SB3100-T概述
特性：肖特基势垒芯片。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 低功耗、高效率。 高浪涌能力。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达80A峰值。 无铅表面处理； 符合RoHS标准
SB3100-T特性
暂无产品特性。
SB3100-T应用领域
暂无应用领域。