SB190-T
IC
DO-41
可供量大可议
SB190-T
特性：肖特基势垒芯片。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 非常适合自动组装。 低功耗、高效率。 浪涌过载额定值达25A峰值。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高温焊接：端子处260℃/10秒。 无铅表面处理， 符合RoHS标准
品牌
DIODES
封装
DO-41
库存
20
货期
现货
SB190-T参数
| 封装 | DO-41 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 20 |
SB190-T概述
特性：肖特基势垒芯片。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 非常适合自动组装。 低功耗、高效率。 浪涌过载额定值达25A峰值。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高温焊接：端子处260℃/10秒。 无铅表面处理， 符合RoHS标准
SB190-T特性
暂无产品特性。
SB190-T应用领域
暂无应用领域。