S8N10
IC
SOT-89-3L
可供量大可议
S8N10
S8N10 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET， 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 S8N10 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 且已通过全功能可靠性认证。
品牌
HL
封装
SOT-89-3L
库存
8,850
货期
现货
S8N10参数
| 封装 | SOT-89-3L |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8850 |
S8N10概述
S8N10 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET， 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 S8N10 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 且已通过全功能可靠性认证。
S8N10特性
暂无产品特性。
S8N10应用领域
暂无应用领域。