S80P06
IC
TO-252
可供量大可议
S80P06
MOSFET类型:P， 漏源电压(Vdss) (V)：-60， 阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.3～-2.3， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):9， 连续漏极电流ID(A):-80A
品牌
HL
封装
TO-252
库存
8
货期
现货
S80P06参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
S80P06概述
MOSFET类型:P， 漏源电压(Vdss) (V)：-60， 阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.3～-2.3， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):9， 连续漏极电流ID(A):-80A
S80P06特性
暂无产品特性。
S80P06应用领域
暂无应用领域。