S80N04D
IC
PDFN3x3-8L
可供量大可议
S80N04D
工艺:SGT， 类型:N， 漏源电压(Vdss) (V):40， 阈值电压VGS:±20， Vth(V):1～2.2， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.4/4.1， 连续漏极电流ID(A):80A
品牌
HL
封装
PDFN3x3-8L
库存
4,525
货期
现货
S80N04D参数
| 封装 | PDFN3x3-8L |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4525 |
S80N04D概述
工艺:SGT， 类型:N， 漏源电压(Vdss) (V):40， 阈值电压VGS:±20， Vth(V):1～2.2， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.4/4.1， 连续漏极电流ID(A):80A
S80N04D特性
暂无产品特性。
S80N04D应用领域
暂无应用领域。